BSZ097N04LSG دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSZ097N04LSG
|
|
حجم فایل
|
57.754
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
9
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSZ097N04LSG
-
Power Dissipation (Pd):
2.1W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
40V
-
Continuous Drain Current (Id):
12A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
2V@14uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
9.7mΩ@10V,20A
-
Package:
TSDSON-8(3.3x3.3)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
